Galaxy Note20的存储速度将比GalaxyS20更快

今年的大多数旗舰将支持5G连接，一旦5G网络建成，这将显著提高数据传输速度。这种升级意味着，用户需要升级其他几个组件，才能真正利用整体更快的设备，包括RAM和闪存。

我们已经看到手机制造商在今年的手机中使用了LPDDR5内存，这将对未来产生巨大的影响。他们中的许多人将接受更快的闪存，而三星刚刚宣布，它准备大量生产速度更快的手机所需要的那种快速存储。今年晚些时候，这款UFS 3.1存储器可能会为Galaxy Note 20提供动力。

三星新推出的512GB eUFS 3.1闪存是业界首个类似的闪存选择。该芯片将支持连续读写速度分别达到2100 mb /s和1200 mb /s，这意味着Galaxy Note 20将比Galaxy S20更快。

三星Galaxy S20系列搭载了UFS 3.0存储系统，支持与UFS 3.1闪存相同的写入速度，但在串行写入速度方面，它几乎慢了三倍。

这意味着在现实世界中，100GB的数据传输在UFS 3.1上只需要大约1.5分钟，而UFS 3.0的存储则需要超过4分钟。三星表示，其速度与你在超薄笔记本上看到的差不多，这对智能手机来说是一项不可思议的成就。三星还可以在智能手机中封装512GB的快速存储——UFS 3.1也将有128GB和256GB两种版本。

三星在其新闻稿中表示，该公司已开始在中国批量生产第五代V-NAND存储器，“以满足整个旗舰和高端智能手机市场的存储需求”，但没有透露将在哪些设备上安装新的512GB UFS 3.1芯片。Galaxy Note 20系列可能会成为今年使用更快存储速度的手机之一，不过三星尚未正式宣布。

即将发布的OnePlus 8系列也是新UFS 3.1存储的潜在候选产品，因为一加在过去几年一直快速采用新的存储标准。去年推出的一加7 Pro和Galaxy Fold一样，配备了UFS 3.0存储空间，而三星Galaxy S10只配备了UFS 2.1闪存。Fold的延迟使得一加手机成为世界上第一款存储速度更快的手机。随后发布的Galaxy Note 10也搭载了UFS 3.0芯片。